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PDF BDY96D Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BDY96D | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BDY96D
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 350V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat) = 1.5V(Max.) @ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for use in switching regulators applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
750 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
350 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
10 A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=90℃
TJ Junction Temperature
15 A
40 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
1.1 ℃/W
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BDY96 | Bipolar NPN Device |  Seme |
| BDY96D | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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