|
|
Número de pieza | KTD998 | |
Descripción | Silicon NPN Power Transistors | |
Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de KTD998 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
No Preview Available ! INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 120V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type KTB778
APPLICATIONS
·High power amplifier applications
·Recommend for 45-50W audio frequency amplifier
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
10
A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
1A
80 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃
isc Product Specification
KTD998
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
1 page |
Páginas | Total 2 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet KTD998.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
KTD998 | Silicon NPN Power Transistors | Inchange Semiconductor |
KTD998 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR | KEC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |