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PDF KTB2510 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza KTB2510
Descripción Silicon PNP Power Transistors
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! KTB2510 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
isc Product Specification
KTB2510
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -150V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -2.5V(Max) @IC= -7A
·High DC Current Gain
: hFE= 5000(Min) @ IC= -7A, VCE= -4V
·Complement to Type KTD1510
APPLICATIONS
·High power amplifier applications
·Recommended for 60W audio amplifier output stage
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-160
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-150
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-10 A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
-1 A
100 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
KTB2510Silicon PNP Power TransistorsInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
KTB2510EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORKEC
KEC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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