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PDF MJ3055 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MJ3055 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
MJ3055
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose switching and amplifier
applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
10 A
IB Base Current
7A
PC
TJ, Tstg
Collector Power Dissipation@TC=25℃
117
Operating and Storage Junction
Temperature Range
-55~+200
W
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.52 ℃/W
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MJ3055 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| MJ3055 | Bipolar NPN Device |  Seme LAB |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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