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PDF 2N3767 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N3767 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistors | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2N3767
DESCRIPTION
·Continuous Collector Current IC= 4A
·Collector Power Dissipation-
: PC= 20W @TC= 25℃
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier and medium speed
applications.
switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous
4A
IB Base Current-Continuous
2A
PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 20
W
TJ Junction Temperature
200 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~200 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
8.75
UNIT
℃/W
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N3762 | Type 2N3762 Geometry 6706 Polarity PNP |  Semicoa Semiconductor |
| 2N3762 | PNP SIlicon Small-Signal Transistor |  Motorola Semiconductors |
| 2N3762 | PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |  Microsemi |
| 2N3762 | Bipolar PNP Device |  Seme LAB |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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