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PDF 1SS307E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 1SS307E | |
| Descripción | Silicon Epitaxial Planar Diode | |
| Fabricantes | Toshiba | |
| Logotipo |  |
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Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar
1SS307E
1. Applications
• General-Purpose Rectifiers
2. Features
(1) Very low reverse current. : IR = 10 nA (max)
(2) AEC-Q101 qualified (Note 1)
Note 1: For detail information, please contact to our sales.
3. Packaging and Internal Circuit
ESC
1SS307E
1: Cathode
2: Anode
Start of commercial production
2015-04
1 2015-06-11
Rev.3.0
1 page  
Package Dimensions
1SS307E
Unit: mm
Weight: 1.4 mg (typ.)
TOSHIBA: 1-1G1S
Nickname: ESC
Package Name(s)
5
2015-06-11
Rev.3.0
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet 1SS307E.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 1SS307 | DIODE (GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS) |  Toshiba Semiconductor |
| 1SS307E | Silicon Epitaxial Planar Diode | Toshiba |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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