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PDF IRF647 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IRF647
Descripción N-Channel Mosfet Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
IRF647
·FEATURES
·Avalanche Rugged Technology
·Rugged Gate Oxide Technology
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·Lower Leakage Current: 10mA (Max.) @ VDS = 250V
·DESCRITION
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solenoid drivers.
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
VGS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
275
±20
V
V
ID Drain Current-Continuous
13 A
IDM Drain Current-Single Plused
52 A
PD Total Dissipation @TC=25
125 W
Tj Max. Operating Junction Temperature -55~150
Tstg Storage Temperature
-55~150
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
RθJA
Thermal Resistance,Junction to Case
Junction-to-Ambient
MAX UNIT
1.0 /W
80 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IRF640N-channel TrenchMOS transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
IRF640N-CHANNEL 200V, 18A, MOSFET ( TO-220/TO-220FP )STMicroelectronics
STMicroelectronics
IRF640Power MOSFET(Vdss=200V/ Rds(on)=0.18ohm/ Id=18A)International Rectifier
International Rectifier
IRF640200V N-Channel MOSFETFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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