DataSheet.es    


PDF 2N2222A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2N2222A
Descripción General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Fabricantes Diotec 
Logotipo Diotec Logotipo

2N2222A datasheet


1. - 75V, Silicon NPN Transistor






Hay una vista previa y un enlace de descarga de 2N2222A (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 2 Páginas

No Preview Available ! 2N2222A Hoja de datos, Descripción, Manual

PN2222A / 2N2222A
PN2222A / 2N2222A
NPN
General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2005-11-17
Power dissipation
Verlustleistung
E BC
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54
Dimensions / Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung E open
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom (tp < 5 ms)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
VCB0
VCE0
VEB0
Ptot
IC
ICM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
PN2222A / 2N2222A
75 V
40 V
6V
625 mW 1)
600 mA
800 mA
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
IC = 150 mA, IB = 15 mA 2)
IC = 500 mA, IB = 50 mA 2)
Base saturation-voltage – Basis-Sättigungsspannung
IC = 150 mA, IB = 15 mA 2)
IC = 500 mA, IB = 50 mA 2)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
ICB0
– 10 nA
VCEsat
VCEsat
– 0.3 V
– 1V
VBEsat
0.6 V
1.2 V
VBEsat
– 2V
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1

1 page





PáginasTotal 2 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet 2N2222A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2N2222NPN Silicon Epitaxial Planar TransistorSEMTECH
SEMTECH
2N2222NPN Silicon TransistorTexas
Texas
2N2222Ultra-Fast Transient Response LDO RegulatorART CHIP
ART CHIP
2N2222NPN Silicon Small Signal TransistorMotorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar