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PDF 4N60 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 4N60
Descripción N-CHANNEL MOSFET
Fabricantes KIA　
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KIA
SEMICONDUCTORS
600V
N-CHANNEL MOSFET
4N60
1.Description
The KIA4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such
as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power
supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
2. Features
„ 600V, RDS(ON) =2.1Ω@ VGS=10V
„ Ultra low gate charge (typ Qg=15.5nC)
„ Low Reverse capacitance (typ Crss=8pF)
„ 100% avalanche tested
„ RoHS compliant
3. Pin configuration
Pin Function
1 Gate
2 Drain
3 Source
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KIA
SEMICONDUCTORS
600V
N-CHANNEL MOSFET
4N60
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
4N60N-CHANNEL MOSFETKIA
KIA
4N60N-CHANNEL POWER MOSFETUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
4N60600Volts N-Channel MOSFETEstek Electronics
Estek Electronics
4N60N-Channel Power MOSFET / TransistornELL
nELL

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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