(PDF) 2SC3856-P Datasheet - Silicon NPN Transistor

Número de pieza	2SC3856-P
Descripción	Silicon NPN Transistor
Fabricantes	Inchange Semiconductor
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No Preview Available ! INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 2SC3856-P DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=180V(Min) ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6V IC Collector Current-Continuous 15 A IB Base Current-Continuous PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Junction Temperature 4A 130 W 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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