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PDF 2N1470 Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2N1470
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo

Total 2 Páginas
		
2N1470 Hoja de datos, Descripción, Manual
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2N1470
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 1.5A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 60V(Min)
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60 V
60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
3
PC
Collector Power Dissipation@TC=25
55
A
W
TJ Junction Temperature
200
Tstg Storage Temperature
-65~200
isc websitewww.iscsemi.cn
1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2N1470Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2N1479Small Signal TransistorsETC
ETC
2N1479NPN SILICON TRANSISTORCentral Corp
Central Corp
2N1479(2N1479 - 2N1482) NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORMicrosemi Corporation
Microsemi Corporation

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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