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PDF 2SA505 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SA505
Descripción Silicon PNP Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA505
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -50V (Min.)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
VCE(sat)= -0.8V (Max.)@ IC= -500mA
APPLICATIONS
·Designed for medium power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
-60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
-50 V
VEBO Emitter-Base Voltage
-5.0 V
IC Collector Current-Continuous
-1 A
IE Emitter Current-Continuous
1A
PC Collector Power Dissipation
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
1W
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SA500Silicon PNP Epitaxial TransistorToshiba
Toshiba
2SA503(2SA503 / 2SA504) Silicon PNP TransistorToshiba
Toshiba
2SA504(2SA503 / 2SA504) Silicon PNP TransistorToshiba
Toshiba
2SA505SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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