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PDF TMU3N90 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TMU3N90
Descripción N-channel MOSFET
Fabricantes TRinno 
Logotipo TRinno Logotipo



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No Preview Available ! TMU3N90 Hoja de datos, Descripción, Manual

Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
Halogen free package
JEDEC Qualification
D-PAK
TMD3N90(G)/TMU3N90(G)
BVDSS
900V
N-channel MOSFET
ID RDS(on)
2.5A
<5.1W
I-PAK
Device
TMD3N90/ TMU3N90
TMD3N90G / TMU3N90G
Package
D-PAK/I-PAK
D-PAK/I-PAK
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25
TC = 100
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Repetitive Avalanche Current (Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Power Dissipation
TC = 25
Derate above 25
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Limited only by maximum junction temperature
Marking
TMD3N90 / TMU3N90
TMD3N90G / TMU3N90G
Remark
RoHS
Halogen Free
Symbol
VDSS
VGS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
dv/dt
TJ, TSTG
TL
TMD3N90(G)/TMU3N90(G)
900
±30
2.5
1.6
10
16.6
2.5
9.4
94
0.75
4.5
-55~150
300
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
W/
V/ns
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RqJC
RqJA
November 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
TMD3N90(G)/TMU3N90(G)
1.33
110
Unit
/W
/W
1/6

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TMU3N90 pdf
TMD3N90(G)/TMU3N90(G)
TO-252 (D-PAK) MECHANICAL DATA
November 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TMU3N90N-channel MOSFETTRinno
TRinno
TMU3N90GN-channel MOSFETTRinno
TRinno

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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