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PDF KTC3875 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KTC3875 | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | SLS SEMICONDUCTOR | |
| Logotipo |  |
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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
KTC3875( NPN )
特点/Features：
噪声低，放大范围大，线性好;
用途/Applications：
与 KTA1504 互补。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
集电极-基极电压/Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage
集电极连续电流/Collector Current Continuous
集电极耗散功率/Collector Power Dissipation
结温/Junction Temperature
储存温度/Storage Temperature
符号/ Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
数值/Value
60
50
5
0.15
0.15
150
-55～150
单位/Unit
V
V
V
A
W
℃
℃
电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃)
参数
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
特征频率
输出电容
噪声系数
符号
VBR(CBO)
VBR(CEO)
VBR(EBO)
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
NF
测试条件
IC=100μA,IE=0
IC=1mA,IB=0
IE=100μA,IC=0
VCB=60V,IE=0
VEB=5V,IC=0
VCE=10V,IC=1mA
IC=100mA,IB=10mA
IC=100mA,IB=10mA
VCE=10V,IC=1mA
VCB=10 V,IE=0,f=1MHz
VCE=6V,IC=0.1mA,f=1kHz,
Rg=10KΩ
最小值
60
50
5
80
80
典型值
0.1
2.0
1.0
最大值 单位
V
V
V
0.1 μA
0.1 μA
700
0.25 V
1V
MHz
3.5 pF
10 dB
印章/Marking &hFE 分档/Classification of hFE
档位/Rank
O
Y
GR
范围/Range
70～140
120～240
200～400
印章/Marking
ALO
ALY
ALG
BL
350～700
ALL
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KTC3875 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE/ SWITCHING) | .gif){kind=logo} KEC(Korea Electronics) |
| KTC3875 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |  Galaxy Microelectronics |
| KTC3875 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |  Galaxy Semi-Conductor |
| KTC3875 | Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon |  Weitron |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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