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PDF FS75R12KE3 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FS75R12KE3
Descripción IGBT-Modules
Fabricantes eupec GmbH 
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No Preview Available ! FS75R12KE3 Hoja de datos, Descripción, Manual

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS75R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min:
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
75
105
150
350
+20
75
150
1200
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2,0 -
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
V
V
V
QG - 0,7 - µC
Cies - 5,3 - nF
Cres - 0,2 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
1 (8)
DB_FS75R12KE3_3.0 .xls
2002-09-03

1 page




FS75R12KE3 pdf
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS75R12KE3
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
150
125
Tvj=25°C
Tvj=125°C
100
75
50
25
0
4 5 6 7 8 9 10 11
VGE [V]
12
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
IF= f(VF)
150
125
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
75
50
25
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
5 (8)
DB_FS75R12KE3_3.0 .xls
2002-09-03

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FS75R12KE3IGBT-Moduleseupec GmbH
eupec GmbH
FS75R12KE3GIGBT-Moduleseupec GmbH
eupec GmbH

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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