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PDF B5817W Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza B5817W
Descripción SCHOTTKY BARRIER DIODE
Fabricantes WEJ　
Logotipo WEJ Logotipo



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No Preview Available ! B5817W Hoja de datos, Descripción, Manual

RoHS
B5817W
B5817W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
DPower dissipation
PD : 450 mW Tamb=25
TCollector current
.,LIF: 1 A
Collector-base voltage
VR: 20 V
Operating and storage junction temperature range
OTJ Tstg: -55 to +150
CMARKING SJ
Unit mm
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless otherwise specified
ONParameter
Reverse breakdown voltage
RReverse voltage leakage current
TForward voltage
WEJ ELECDiodecapacitance
Symbol
Test conditions
V(BR)
IR
VF
CD
IR= 1mA
VR=20V
IF=1A
IF=3A
VR=4V
f=1MHz
MIN
MAX
UNIT
20
1
0.45
0.75
120
V
V
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:[email protected]

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
B5817WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5817WSCHOTTKY DIODEUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
B5817WSCHOTTKY DIODEShunye
Shunye
B5817WSchottky DiodeTaiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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