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PDF B5817W Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza B5817W
Descripción SCHOTTKY BARRIER DIODE
Fabricantes TRANSYS　
Logotipo TRANSYS Logotipo



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No Preview Available ! B5817W Hoja de datos, Descripción, Manual

B5817W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
Power dissipation
PD: 450 mW (Tamb=25℃)
Collector current
IF: 1 A
Collector-base voltage
VR: 20 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOD-123
Unit: mm
2. 70
3. 70
MARKING: SJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Symbol
V(BR)
IR
VF
CD
Test conditions
IR= 1mA
VR=20V
IF=1A
IF=3A
VR=4V, f=1MHz
MIN
MAX
UNIT
20 V
1
0.45
0.75
120
mA
V
pF

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
B5817WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5817WSCHOTTKY DIODEUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
B5817WSCHOTTKY DIODEShunye
Shunye
B5817WSchottky DiodeTaiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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